ساخت پیزوسرامیک های نانوبلور pztf و بررسی ساختار، ریزساختار و خواص دی الکتریکی آن ها

مواد پیزوالکتریک با پایه سرب (تیتانات زیرکونیوم سرب (pzt )) به دلیل خواص الکتریکی مناسب کاربرد بسیار وسیعی در فناوری های الکترونیک و میکروالکترونیک دارند. خواص این مواد وابستگی زیادی به دوپنت های موجود دارد. از جمله دوپنت هایی که برای این دسته از پیزوسرامیک ها استفاده می شود دوپنت های نوع دهنده بوده که باعث بهبود خواص دی الکتریک و پیزوالکتریک آنها می شود. در تحقیق حاضر پیزوسرامیک هایpb(zr0.51ti 0.487-xfe 0.023+x)o3 pztf)) با مقادیر 08/0و06/0و04/0و02/0و0 x= به کمک آسیاکاری مکانیکی و عملیات حرارتی بعدی تولید شد و سپس به کمک پراش اشعه ایکس (xrd) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) مورد بررسی های ساختاری و ریزساختاری قرار گرفتند. در نهایت ثابت دی الکتریک نمونه های تولید شده به کمک دستگاه lcr-meter اندازه گیری گردید. با تحلیل نتایج ساختاری مشخص شد که اندازه بلورها در محدوده نانومتری (55-24 نانومتر) بوده و فاز اصلی ایجاد شده پس از عملیات سینترینگ فاز پروسکایت می باشد. تغییرات ساختاری با افزایش درصد آهن نشانگر نزدیک شدن ساختار به مرز بین ساختار تتراگونال و رمبوهدرال بوده و تغییرات ریزساختاری نمایانگر افزایش فاز شیشه ای در مرز دانه ها با افزایش درصد آهن بوده که بهبود قابل توجه در چگالی نمونه های تولیدی را در بر دارد. نتایج بررسی ثابت دی الکتریک نمونه ها نشان دهنده اثر بسیار مناسب و مثبت آهن در بهبود خواص الکتریکی این سرامیکها می باشد.